SK海力士(SK hynix)宣布推出iHBM解決方案，該方案將整合冷卻元件(Integrated Cooling Elements, ICEs)嵌入次世代高頻寬記憶體(HBM)封裝中，可明顯改善HBM的散熱能力。

SK海力士表示，為滿足持續激增的AI運算需求，HBM堆疊層數及速度不斷上升，導致HBM的熱管理已成為一大挑戰。因此，該公司推出iHBM技術，藉由在連接HBM與GPU的Die-to-Die物理層(D2D PHY)上配置ICE，為HBM封裝提供額外熱路徑以散發熱量(圖)。

SK海力士的iHBM結構示意圖

ICE是由具電絕緣、熱導性的矽基材質製成的散熱元件。將ICE配置於熱量高度集中的D2D PHY區域，建立額外散熱路徑，可降低30%熱阻，使晶片在高溫、高壓條件下仍維持穩定運作。

iHBM具備可大量生產的優勢。SK海力士採用晶圓級封裝(WLP)製程，搭配經過市場驗證的批量回流成型底填(MR-MUF)技術，實現iHBM穩定量產。此外，該方案與現有系統封裝(SiP)架構高度相容，客戶可在較小設計調整下採用此散熱技術。

SK海力士計畫在HBM5等次世代HBM產品中導入iHBM 解決方案，以提升HBM在高效能運算(HPC)與AI資料中心這類高密度、高頻寬應用環境下所需的熱管理能力，確保系統穩定性與運作效率。

SK hynix封裝開發部門資深副總裁Kangwook Lee 表示，iHBM 是一項結合該公司記憶體設計能力與先進封裝技術的最佳熱管理解決方案。SK海力士將藉由積極部署，提供AI環境所需價值，鞏固其在AI記憶體市場的領導地位。