根據Yole Group近期發表的《Power SiC 2025 – 前端製造設備》研究報告指出，在2019年至2024年間的前所未有投資潮之後，功率碳化矽產業現在正進入一個修正周期。汽車市場的放緩減少了對碳化矽(SiC)的需求，改變了供應鏈。利用率下降、過剩產能和減少投資的循環引起了產業的擔憂。然而，儘管市場放緩，碳化矽仍然是電氣化路線圖的核心，預計到2030年，設備收入將接近100億美元。

功率碳化矽產業的第一次主要投資週期，由2019至2024年的資本支出繁榮推動，造成了上游的顯著過剩產能。到2025年，上游流程的利用率已降至約50%，設備生產線的利用率則降至70%。這一下滑趨勢預計將持續到2027至2028年，屆時8英寸生產平台和下一代溝槽及超接合MOSFET將帶來新的增長。

區域動態：中國快速崛起

新的設備資本支出大部分集中在中國，當地政府的策略鼓勵本地採購設備。到2024年，中國廠商已經占據了約40%的SiC晶圓和外延晶圓產能，並迅速擴展到元件製造領域。儘管設備生態系統尚未完全自給自足，但國內供應商在PVT和HTCVD設備領域已取得顯著進展。

Yole Group的Taguhi Yeghoyan指出，中國在碳化矽前端能力上正迅速追趕。當地廠商現在在碳化矽晶體生長和外延方面展開了直接競爭，即便國際廠商在薄化、計量和先進離子植入方面仍然保持領導地位。”

設備生態系統展望

晶圓生長(PVT)：成熟的生態系統已建立，具備8英寸的能力。由Naura主導的開放PVT設備市場預計將急劇收縮，然後穩定，從2024年到2030年，年均增長率約為-11%。

外延生長(HTCVD)：歐洲廠商ASM International和AIXTRON領先，其次是NuFlare和TEL。中國廠商Naura、JSG和NASO Tech正在積極擴展。

WFE工具：需要針對SiC進行特定的調整，以適應蝕刻、化學機械平坦化、離子植入和檢測。市場到2030年將維持約 -7% 的年均增長率，這得益於現有安裝基礎的升級。

燒錄系統的產能過剩抵消了測試相關設備的整體增長，導致年均增長率僅達到3%。

儘管市場下滑，IDM公司仍持續在200mm SiC產能和先進的MOSFET架構上進行戰略性投資，即使中國的本土生態系統逐漸成熟，IDM業者在這個領域仍然保持全球領導地位。