隨著傳統摩爾定律放緩，先進封裝技術已成為半導體產業突破效能瓶頸的關鍵推手。從2.5D、3D堆疊到扇出型封裝，這些創新方案不僅提升了晶片效能，更使異質整合成為可能，為人工智慧、高效能運算等領域帶來革命性變革。

市場研究機構Yole Group預測，先進封裝市場規模將從2023年的443億美元成長至2028年的786億美元，年複合成長率達12%，顯示其在產業價值鏈中的戰略地位與發展潛力。

全球供應商的先進封裝技術布局

表：主要封裝技術比較
特性	扇出封裝	覆晶封裝	2.5D 封裝	3D 封裝
主要原理	連接延伸超出晶粒周邊；模塑上的 RDL	晶粒倒裝，焊錫凸塊連接基板	多個晶粒放置在帶有 TSV 的中介層上	多個晶粒透過 TSV 或鍵合垂直堆疊
性能	改良的電氣和散熱性能	優異的電氣性能，增強的散熱性能	高頻寬，低延遲	最高頻寬，最低延遲
密度	更高的 I/O 密度	最高的封裝密度	高整合密度	最高的整合密度
功耗	由於路徑較短，功耗較低	由於路徑較短，功耗較低	降低功耗	最有效率的功耗
成本	可能具有成本效益，尤其是面板級	對於高性能通常具有成本效益	由於中介層和 TSV，成本較高	由於複雜性和 TSV，成本最高
尺寸	可能實現薄型、小尺寸	小尺寸	比 2D 尺寸更小	最小尺寸
主要應用	行動裝置、電源管理 IC、射頻、網路	高效能處理器、GPU、射頻模組	高效能運算、AI 加速器、網路設備	高效能運算、AI 加速器、高階記憶體系統
主要供應商	台積電 (InFO)、日月光、艾克爾 (SWIFT)	艾克爾、長電科技、台積電、三星、 英特爾	台積電 (CoWoS)、英特爾 (EMIB)、 日月光	台積電 (SoIC)、三星 (SAINT)、 英特爾 (Foveros)、日月光、艾克爾

台積電：CoWoS與SoIC的創新進程

台積電作為先進封裝領域的領導者，持續強化其技術優勢。2024年台積電宣布CoWoS產能將較2023年成長150%，顯示其對市場需求的積極回應。2025年即將推出的第六代CoWoS技術（CoWoS-L）採用局部矽互連（LSI）與RDL中介層，實現更高密度整合，特別適用於AMD的MI300系列AI加速器。

在SoIC技術方面，台積電已進入小規模試產階段。2025年SoIC將支援3奈米與4奈米晶片的正面對背面（F2B）堆疊，微凸塊間距縮至25μm，主要應用於汽車電子與中端HPC市場。專家預測，2027年SoIC將進一步升級至正面對正面（F2F）結構，間距縮至16μm，有效降低成本。產能方面，台南AP8與嘉義AP7封裝廠預計2025年底投產，專注於CoWoS與SoIC技術，進一步鞏固台積電在先進封裝領域的領導地位。

三星電子：HBM4與X-Cube技術的特色與競爭策略

三星電子在記憶體與先進封裝領域同步發力，2024年底公布的HBM4規格提供每秒1.4TB的高頻寬，計劃2025年量產，搭配其I-Cube封裝技術，將有效支援AI訓練與資料中心應用。

X-Cube技術是三星的另一個重要布局，採用7奈米製程與矽穿孔（TSV）技術，實現多晶片3D堆疊，目標客戶包括輝達與中國伺服器廠商。三星也計畫以混合基板（H-Cube）解決大面積封裝難題，進一步強化與台積電的競爭力。三星積極吸引SK海力士與輝達等客戶，同時與中國廠商如華為洽談X-Cube應用，展現其市場拓展策略。

英特爾：Foveros Direct與EMIB的發展規劃

英特爾在先進封裝領域同樣有顯著進展，2024年開始試產採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的Foveros Direct，晶片間距縮至9μm，預計2025年應用於下一代邏輯晶片與互連器，2026年進一步縮至3μm。嵌入式多晶片互連橋（EMIB）技術也進行升級，支援更高I/O密度，應用於Meteor Lake與未來伺服器晶片。

英特爾的封裝技術主要用於自身產品，同時與戴爾、惠普等PC大廠合作，Foveros技術逐步滲透雲端市場。其採取自主研發的策略與台積電和三星形成明顯區隔，為客戶提供差異化的技術選擇。

專業封測廠：日月光與艾克爾的技術差異化戰略

日月光積極拓展先進封裝技術，推出FOCoS-Bridge與FOCoS-CL（Chip Last）技術，2024年已應用於高通5G晶片與汽車雷達，強調成本效益與靈活設計。VIPack平台整合多種封裝技術，支援AIoT與高效能應用，2025年預計擴大產能以滿足汽車電子需求。日月光主要客戶包括高通、聯發科，汽車領域則與博世、電裝（Denso）合作，應用於ADAS與車載資訊系統。

艾克爾（Amkor）同樣專注先進封裝發展，與日月光在CoWoS相關訂單上形成競爭。根據市場分析，艾克爾積極擴大接單能力，尤其專注於處理AI加速器相關的高階封裝訂單，顯示出專業封測廠在先進封裝生態系統中的重要角色。

市場需求與應用趨勢分析

表：各封裝技術的主要應用

應用領域	主要性能驅動因素	相關的先進封裝技術
高效能運算與人工智慧	高頻寬、低延遲、高運算密度	2.5D (CoWoS, EMIB)、3D (HBM 整合、小晶片)、高 I/O 扇出型
行動裝置	小型化、低功耗、成本效益、效能	扇出型 (InFO)、覆晶、堆疊封裝 (PoP)、系統級封裝 (SiP)
車用電子	可靠性、在嚴苛環境下的性能、整合	覆晶、2.5D/3D、強固型扇出解決方案
網路與資料中心	高速資料傳輸、高頻寬、低延遲	2.5D/3D、高 I/O 扇出型、共封裝光學 (新興)

AI與高效能運算的封裝需求特性

AI與高效能運算（HPC）領域對先進封裝技術有極高需求，CoWoS與HBM需求持續飆升，台積電2025年產能預計仍供不應求。社群專家指出，生成式AI（如ChatGPT後續版本）對運算密度要求將推動3D封裝普及。這些應用具有密集的運算需求，先進封裝能以更小、更省電的組態提供更多功能。

輝達（NVIDIA）因Blackwell GPU需求追加CoWoS訂單，AMD則依賴CoWoS-L與SoIC打造MI300系列，蘋果計畫2025年採用SoIC於M系列AI伺服器晶片。AI領域對高頻寬記憶體（HBM）與多晶片整合的需求尤為迫切，推動2.5D與3D封裝技術的持續創新。

行動裝置市場的輕薄化與高整合需求

行動裝置市場對先進封裝的主要需求為輕薄化、低功耗與高整合度。扇出型封裝（FOPLP）因成本優勢在此領域受到青睞，聯發科Dimensity系列與高通Snapdragon晶片需求穩定成長。Package-on-Package（PoP）技術也廣泛應用於行動裝置，將處理器與記憶體垂直堆疊，節省寶貴的板面空間。

先進封裝使行動裝置能在有限空間內集成更多功能，同時有效控制功耗，滿足消費者對輕薄高效產品的追求。隨著行動運算需求提升，系統級封裝（SiP）技術將更廣泛應用於穿戴裝置與新一代智慧手機。

汽車電子封裝的可靠性與高溫挑戰

汽車電子是先進封裝技術成長最快速的應用領域之一。自動駕駛與電氣化趨勢帶動SiP與耐高溫封裝需求，市場預估2025-2030年CAGR達15%。汽車應用對封裝的可靠性要求極高，需要在寬廣溫度範圍內穩定運作，同時抵抗震動與腐蝕等環境挑戰。

日月光與Denso合作的ADAS模組採用FOCoS技術，展現了先進封裝在汽車安全系統中的應用。隨著電動車與自動駕駛技術普及，汽車對高效能運算與感測器整合的需求將持續提升，進一步推動先進封裝技術在此領域的創新與應用。

邊緣運算與物聯網的低功耗封裝解決方案

根據TechNews 2025年預測，邊緣AI市場將達362億美元，晶圓級封裝與小晶片（Chiplet）技術將支撐穿戴裝置與感測器發展。邊緣運算和物聯網裝置對先進封裝的主要需求為超低功耗、小型化和成本效益。

先進封裝使物聯網裝置能集成多種功能，如處理器、記憶體、通訊模組和感測器，同時優化功耗管理。嵌入式扇出型封裝（eWLFO）在智慧型感測器中的應用日益增加，而系統級封裝（SiP）則適用於需要整合多功能模組的複雜邊緣裝置，如智慧型監控系統和工業物聯網控制器。

技術發展挑戰與未來展望

小晶片封裝的標準化與互連挑戰

小晶片設計已成為克服單一大晶片製造難度的重要方法，但其互連標準化仍是產業挑戰。社群專家（如@ShintoStudent）看好SoIC長期潛力，認為其成本降低後將取代部分CoWoS應用，尤其在汽車與邊緣運算領域。然而，不同廠商小晶片之間的互操作性與介面標準化仍待解決。

小晶片介面的高頻寬、低延遲和低功耗要求，推動了互連技術的持續創新。隨著異質整合需求增加，更高密度、更高效率的晶片間通訊成為先進封裝技術的關鍵發展方向。專家普遍認為，異質整合與小晶片設計將主導未來五年發展，2025-2026年將是SoIC量產與市場驗證的關鍵期。

散熱管理的技術瓶頸與創新方案

眾所周知，3D堆疊後功耗密度增加，CoWoS與SoIC需更先進散熱方案，例如微流道冷卻。隨著晶片堆疊層數增加和功率密度提高，散熱已成為先進封裝技術的關鍵瓶頸。傳統散熱方法如熱沉和風扇在高功率密度3D封裝中效果有限。

業界正積極探索創新散熱解決方案，包括直接液體冷卻、相變材料和微流道冷卻技術。這些先進的散熱方案將有助於解決3D封裝中的熱集中問題，為更高整合度和更高性能的多晶片系統鋪平道路。但需要注意的是，微凸塊微細化導致封裝材料滲透性下降，影響生產效率，需材料創新突破。

供應鏈多元化與地緣政治影響

先進封裝產業面臨ABF基板與矽中介層短缺等供應鏈挑戰，台積電與日月光積極與日本Ajinomoto等供應商合作，以確保關鍵材料供應。地緣政治因素也對產業布局產生深遠影響，美國CHIPS Act和相關政策推動先進封裝產能向美國本土轉移。

中國持續加大在先進封裝領域的投資，華為等企業加速本土化技術發展。產業供應鏈多元化趨勢明顯，多家業者在東南亞和美國建立新產能，以分散地緣政治風險，確保供應安全。分析師警告，AI熱潮若降溫，非AI領域需求可能放緩，導致產能過剩風險。

先進封裝技術將快速演進

Yole分析師指出，先進封裝將由台積電、英特爾、三星主導，占全球80%產能，中小型封測廠難以追趕技術門檻。這種集中化趨勢反映了先進封裝技術的高門檻與規模經濟特性。專家普遍認為，未來五年將是先進封裝技術快速演進的關鍵期，其中帶有混合鍵合（Hybrid Bonding）的先進3D封裝將成為焦點。

對於多晶片異質整合，業界預計將出現更加模組化和標準化的設計方法，輔以專用EDA工具支援。玻璃基板被視為下一代先進封裝的潛力材料，有望在2026年後實現商業化。總體而言，先進封裝技術將持續朝向更高密度、更低功耗和更佳整合性發展，成為半導體產業創新的關鍵推手。

先進封裝領域的關鍵發展與挑戰

截至2025年3月，先進封裝技術在AI與HPC驅動下保持高速成長，台積電憑藉CoWoS與SoIC領先，三星與英特爾則在HBM與Foveros領域急起直追，日月光則專注多元應用。市場需求聚焦高效能與低功耗，技術挑戰如散熱與良率仍待解決。

專家普遍認為，異質整合與小晶片設計將主導未來五年發展，地緣政治與供應鏈因素將持續影響產業布局，而創新材料與製程技術將為先進封裝帶來新的發展空間。