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M31發表台積電N12e製程低功耗IP 推動AIoT創新
鉅亨網籃貫銘
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M31在北美開放創新平台生態系統論壇(TSMC North America 2023 Open Innovation Platform (OIP) Ecosystem Forum)上,由M31技術行銷副總-Jayanta發表演講,展示M31在台積電N12e製程平台上的低功耗矽智財(IP)解決方案,並第七度獲頒台積電特殊製程IP合作夥伴獎的肯定。

M31技術行銷副總-Jayanta.展示M31在台積電N12e製程平台上的低功耗矽智財
M31技術行銷副總-Jayanta.展示M31在台積電N12e製程平台上的低功耗矽智財

在人工智慧化的物聯網裝置及其他高效率、高效能的邊緣裝置應用發展浪潮下,M31也緊跟台積電N12e製程技術平台發展腳步,針對AIoT市場對於速度、功耗、成本面積不同的設計需求,開發一系列低功耗IP解決方案,可支援更高效能、更佳功率與更低漏電的要求,其中包括低功耗記憶體(Memory Compiler)、標準元件庫 (Standard Cell Library) 、通用IO元件庫 (General Purpose Input/ Output Library , GPIO)。

其中, M31推出兩種不同特性的低功耗記憶體,分別是低電壓設計的Low VDD記憶體和低漏電ULL記憶體。Low VDD記憶體支援0.6V的低電壓,提供四種低功耗模式和頻率調節技術(DVFS),並透過M31讀寫輔助技術可確保在低電壓操作時的穩定性。而M31低漏電ULL記憶體則使用台積電ULL bit-cell技術,可大幅提升靜態低功耗的表現,達到節能設計的目標。

此外,客戶還能採用M31具競爭力的低功耗標準元件庫,並搭配電源管理和低功耗優化套件,有助於客戶縮短開發週期,提高模組精準度,特別適用於各種AIoT設計。

M31技術行銷副總-Jayanta表示,很榮幸再度獲得台積電的OIP年度合作夥伴獎項,M31與台積電緊密且深度的策略夥伴關係,同時顯現在AIoT應用的創新矽智財的推進上。未來也將通過與台積電持續的合作和技術創新,為客戶提供領先的設計解決方案,在AIoT領域的快速發展中扮演關鍵角色。

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