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ROHM推出5款全新超低導通電阻100V耐壓Dual MOSFET
CTimes陳玨
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近年來,在通訊基地台和工控設備的應用領域,為了降低電流值並提高效率,以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。半導體製造商ROHM針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用,推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品。新產品分為HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列和HP8MEx(Nch+Pch)系列共5款新機型。

ROHM全新100V耐壓Dual MOSFET以小尺寸實現超低導通電阻,適用於通訊基地台和工控設備等風扇馬達,有助降低應用設備功耗和節省空間
ROHM全新100V耐壓Dual MOSFET以小尺寸實現超低導通電阻,適用於通訊基地台和工控設備等風扇馬達,有助降低應用設備功耗和節省空間

此外,用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源,考慮到電壓波動,負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。另一方面,提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高,導致效率變差,因此,如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻,成了一大挑 戰。另外,風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動,為了節省空間,對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求正不斷增加。

在此背景下,ROHM以全新製程推出Nch和Pch的MOSFET晶片,透過採用散熱性能出色的背面散熱封裝形式,開發出具業界超低導通電阻的新系列產品。

新產品透過ROHM全新製程和背面散熱封裝,實現業界超低導通電阻( Ron)( Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與市場上的Dual MOSFET相比,導通電阻降低達56%,有助降低應用設備功耗。另外透過將二顆晶片一體化封裝,可減少安裝面積,有助應用設備節省空間。例如HSOP8封裝產品,若替換掉二顆Single MOSFET(僅內建一顆晶片的TO-252封裝),將可減少77%的安裝面積。

ROHM透過結合新產品與已具有豐富應用實績的單相和三相無刷馬達用預驅動器IC,使馬達電路板進一步小型化、實現低功耗和靜音驅動。透過為週邊電路設計提供Dual MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支援, 為客戶滿足需求,適合應用於通訊基地台用風扇馬達、FA設備等工控設備用風扇馬達、資料中心等伺服器用風扇馬達。

目前,ROHM正針對工控設備應用領域擴大Dual MOSFET的耐壓陣容,同時也在開發低雜訊產品。新產品已於2023年7月開始暫以每月100萬個規模投入量產,並且已開始透過電商平台銷售。

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