根據 TrendForce 調查顯示，2023 年 HBM(高頻寬記憶體) 市場主流為 HBM2e，包含 NVIDIA A100/A800、AMD MI200 以及多數 CSPs 自研加速晶片皆以此規格設計。同時，為因應 AI 加速器晶片需求演進，各原廠再於 2024 年推出新產品 HBM3e，預期 HBM3 與 HBM3e 將成為明年市場主流。

若探究 HBM 各世代差異，主要以速度做細分。除市場已知的 HBM2e 外，在進入 HBM3 世代時，產業出現較為混亂的名稱。TrendForce 特別表示，目前市場所稱的 HBM3 實際需細分為兩種速度討論，其一，5.6~6.4Gbps 的 HBM3；其二，8Gbps 的 HBM3e，別名 HBM3P、HBM3A、HBM3+、HBM3 Gen2 皆屬此類。

目前三大原廠 HBM 發展進度如下，兩大韓廠 SK 海力士、三星先從 HBM3 開發，代表產品為 NVIDIA H100/H800 以及 AMD 的 MI300 系列，兩大韓廠再預計於 2024 年第一季送樣 HBM3e；美系原廠美光（Micron）則選擇跳過 HBM3，直接開發 HBM3e。

HBM3e 將由 24Gb mono die 堆疊，在 8 層的基礎下，單顆 HBM3e 容量將一口氣提升至 24GB，此將導入在 2025 年 NVIDIA 推出的 GB100 上，三大原廠預計 2024 年第一季推出 HBM3e 樣品，以期在明年下半年進入量產。