導語：早在去年底，有媒體從中國多家IGBT相關廠商獲悉，不少公司現有新產線多處於產能爬坡期，目前在手訂單充足，普遍存在訂單積壓問題，現有產能仍無法滿足市場整體需求。業內公司均認為，雖然各廠家都在忙擴產，但新擴建專案實際投產至少需要約24個月，預測供需平衡點到來言之尚早，後續新接訂單或隨行就市還會漲。
據DIGITIMES Research統計與分析，2022年IGBT因電動車與光伏發電市場的強勁需求，在供應端產能有限的情況下，整體供需缺口達13.6%。
展望2023年，全球IGBT業者產能持續擴張，加上經濟陰霾恐導致電動車市場增速走緩，其餘IGBT相關應用中，僅新能源發電新增裝機量動能明確，因此2023年全球IGBT供需缺口將收窄，當前短缺現象逐漸邁入尾聲。
機構分析顯示，IGBT晶片市場價格由行業供應端、製造端及消費端共同作用而成、並逐級傳導。供應端的成本價格包括原材料及輔料價格、人力價格、設備廠房價格、燃料動力價格等，其中原材料價格受礦產資源、國際形勢、突發事件的影響極大，也是影響IGBT市場價格的重要因素；供應端價格傳導至製造端形成了生產成本，製造業綜合供需溢價、研發成本和企業利潤，形成“製造端價格”傳導至消費端，而消費市場需求彈性也反作用於供應端、製造端，形成“價格-需求-價格”的傳導路徑來影響IGBT晶片市場定價。
中國來看，資料顯示，目前中國IGBT晶片行業自給率較低，大部分依賴進口，中國主要市場份額被英飛淩、富士、三菱等企業壟斷。由於IGBT單管及模組企業同樣是主要的IGBT晶片生產企業，故從IGBT單管及模組市場集中度來大致反映中國IGBT晶片市場集中度狀況，2020年，全球IGBT單管市場CR3、CR5、CR10分別為54.2%、657.4%、85.7%；全球IGBT模組市場CR3、CR5、CR10分別為57.6%、66.7%、79.1%。綜合來看，IGBT單管及模組市場集中度高，市場份額被頭部企業壟斷，大致可以反映出中國IGBT晶片市場集中度同樣較高，國外頭部企業及中國代表性企業佔據了主要市場份額。
另一方面，中國IGBT晶片廠商生產模式各有不同，其下游客戶及產品應用領域也有所差異。例如，士蘭微下游主要市場為白電、工控、新能源車、光伏領域；華潤微下游主要應用於工控、新能源車領域；時代電氣主要佈局軌交、電網、新能源車、新能源發電領域；斯達半導主要開拓工業、新能源車、光伏下游領域；新潔能下游市場為光伏、白電領域；宏微科技主要佈局工控、光伏、新能源車領域。
資料顯示，主要代表企業中，時代電氣2021年整體營業收入規模最大，為151億元，但IGBT業務收入占比較少，約為6%；斯達半導IGBT業務專注度較高，雖然整體營收規模一般（約為17億元），但IGBT收入達16億元，占比超過94%。從企業IGBT晶片業務的競爭力來看，斯達半導的綜合競爭能力較強。
從五力競爭模型角度分析，中國IGBT晶片行業上游國產化程度較低，供應能力有限，且定制化程度較高，供應上議價能力較強；IGBT晶片市場需求空間較大，產品同質化較低，對外依賴較大，消費者議價能力較弱；IGBT晶片行業對潛在進入者的吸引力較大，但面臨著資金、技術、人才等高壁壘，綜合來看，行業潛在進入者威脅一般；IGBT晶片是目前中國鼓勵的發展方向，在多個領域應用程度較深，在新能源汽車、新能源發電等領域的應用空間將逐漸擴大，因此，行業替代品威脅較低；此外，中國IGBT晶片行業處於成長期，中國國產替代的背景下，行業內現有競爭者競爭較為激烈。
據前瞻產業研究院，中國IGBT產品與國際巨頭英飛淩、三菱電機等差距在10年以上，步入第5代後，預計差距將縮短為10年，第6/7代產品差距將在5年以內。從中國IGBT晶片行業代表性企業從技術格局來看，斯達半導應用第七代IGBT技術，電壓覆蓋範圍為100-3300V；華微電子佈局第六代IGBT技術，電壓覆蓋範圍為360-1350V；士蘭微、時代電氣、宏微科技應用第五代IGBT技術；新潔能主要應用第四代IGBT技術。