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TI:氮化鎵電源管理設計將被加速採用
CTimes王岫晨
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隨著全球技術不斷升級,電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高,從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域。系統和電源設計人員需要採用新的設計方法,以實現小體積高功率密度的目標,同時提高設備性能並降低系統成本。

德州儀器台灣、韓國及南亞總裁李原榮參與SEMICON Taiwan 2022的論壇上表示:「隨著製造商持續地設計出能支持更多數據流量、微型且更高效的工業和企業級系統,我們樂見基於氮化鎵 (GaN) 技術的電源管理設計將被加速採用。德州儀器結合製程、封裝和電路設計技術,加上公司內部自有產能及長期投資,我們有信心可以支持公司客戶在未來幾十年的需求。」

德州儀器氮化鎵 (GaN) 解決方案GaN FET集成驅動器和保護功能,具有高頻率切換的優勢,可幫助客戶實現更小、更輕及更高效的電源系統。此外,C2000實時微控制器 (MCU) 則具有高集成性、高精度控制度以及軟體和硬體高度可擴展性等優勢,可以大幅解決電子系統設計人員在開發電源轉換系統時所面臨的問題。

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