在氮化鎵(GaN)元件進入量產階段後，許多周邊配件業者與品牌商，都競相推出基於GaN元件的USB快速充電器，並以更快的充電速度，更小巧的體積作為其主要訴求。得益於寬能隙特性所具備的特性優勢，跟傳統矽材料相比，基於GaN元件的電源裝置確實在功率密度上有更大的提升空間，但這並不表示傳統的電源元件已經無法與GaN競爭。德州儀器(TI)近期便發表了一款整合功率路徑管理的升降壓電池充電器晶片，其效率可達97%，並且將功率密度拉高到155W/mm²，規格絲毫不遜於基於GaN材料的同類型晶片。

TI近期發表了兩款新一代升降壓電池充電器晶片--BQ25790和BQ25792，這兩款晶片可為USB Type-C和USB PD應用在全輸入電壓範圍(3.6V至24V)內為一到四節串聯電池充電，並提供高達5A的充電電流。充電器的整合雙輸入選擇器支援包括無線、USB、桶式電源插座(barrel jack)和太陽能充電在內的多類電源，同時提供快速充電。在充電功率達30W時，效率可高達97%。

除了效率之外，藉由高度整合，這兩款充電器晶片的功率密度達到155W/mm²，絲毫不遜於基於GaN材料的同類型晶片。據了解，這兩款元件整合了MOSFET、電池FET、電流感應電路和雙輸入選擇器。藉由高度整合，應用開發者在設計產品時，外部電子元件數量大為減少，這不僅有助於降低成本，同時也讓終端產品的尺寸變得更加小巧。