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2029年推出1.4nm工藝?英特爾10年工藝路線圖曝光
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12月11日,據AnandTech、WikiChip報導,在近期的IEEE國際電子設備會議(IEDM)上, ASML公佈了一張合作夥伴英特爾的工藝路線圖,路線圖顯示英特爾將在接下來的10年內每2年推出一種新制程,2029年將推出的是1.4nm節點。

ASML發言人表示,英特爾曾在今年9月的光刻會議上展示了這張工藝路線圖。10月份,英特爾宣佈將工藝反覆運算週期恢復至兩年到兩年半的節奏,並對5nm節點充滿信心。

根據此前報導,英特爾的10nm今年終於亮相,升級版10nm+也聲稱將用於新產品Tiger Lake當中。雖然10nm這張路線圖中10nm節點被標注在2019年的下方,隨後每隔兩年將分別推出7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm。另外,每一代工藝還將在推出之後的兩年中推出2代升級版,以便從每個節點中可以提取盡可能多的優化性能。不過2019年的10nm將在2020年推出的是10nm++工藝,2021年則推出10nm+++。或許,英特爾會將之前已經宣佈的節點重新命名為10nm+工藝。

值得一提的是,英特爾的這張路線圖還提到了在舊工藝的升級版本中進行“反向移植”( Backport)帶來的機會。包括可以將7nm產品反向移植到10nm+++,可以將5nm產品反向移植到7nm++,可以將3nm產品反向移植到3nm++,而可以將2nm產品反向移植到3nm ++。不過,對於1.4nm節點沒有提到反向移植。

事實上,“反向移植”並不是新傳聞,此前就有消息指出,英特爾準備將10nm++產品回退到使用14nm+++工藝。

如果英特爾的這張路線圖能夠被很好的遵循,那麼摩爾定律至少還能延續十年。1.4nm節點可能具有每平方毫米16億個電晶體的密度。儘管最終產品的密度通常低於理論上的可能,但這種密度使英特爾能夠在單平方毫米中放入與2014年推出的14nm晶片Broadwell一樣多的電晶體。

英特爾在過去幾年中10nm連年跳票,工藝演進速度飽受詬病。最新的路線圖展現出了英特爾對於未來持以樂觀的態度,同時也體現出英特爾對待半導體製造工藝的專注和對摩爾定律的信心。

據tomshardware報導,在今天的投資者會議上,英特爾首席工程官Murthy 重申 5nm已進入開發階段,並有望在2023年順利推出。
理想很豐滿,英特爾的這張路線圖描繪了十分美好的工藝反覆運算願景,但需要注意的是,如同多米諾骨牌一樣,一旦英特爾在其中某一個節點遇阻,那麼之後節點的推出時間也會一一順延。

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