台積電在7納米、5納米制程完封三星後，目前更加快3納米研發，以延續領先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機會，據電子時報報導，台積電3納米傳出提前啟動，位於南科30公頃用地，可望提前4個月、預計於今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來。

報導指出，相較于三星陷入7納米EUV制程良率困境，台積電7納米以下制程持續推進，幾乎吃下所有晶片大廠訂單，而5納米預計明年第2季量產，目前傳出蘋果、華為和高通將搶下首波產能。

三星7月底曾宣佈將在3納米制程推出全新“環繞柵極”(Gate-All-Around，GAA)技術，號稱超前台積電1年，更贏過英特爾2~3年。

三星推出全新GAA技術的3納米制程跟當前7納米相較，可使耗能降低50%，晶片面積縮減45%，效能提高35%，預計2021年正式量產;而台積電也持續加快3納米技術研發，預計2021年進行試產、2022年量產，至於3納米技術細節並未披露。