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三星3nm工藝領先台積電1年領先Intel 3年 未來進軍1nm
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在晶圓代工市場上,三星公司在14nm節點上多少還領先台積電一點時間,10nm節點開始落伍,7nm節點上則是台積電大獲全勝,台積電甚至贏得了幾乎所有7nm訂單,三星只有自家Exynos及IBM的7nm訂單,台積電也因此宣傳自己在7nm節點上領先友商1年時間。再往後呢?三星、台積電也公佈了7nm之後的6nm、5nm及3nm工藝了,其中在3nm節點上臺積電也投資了200億美元建廠,只不過他們並沒有詳細介紹過3nm工藝路線圖及技術水準。

日前三星在美國的晶圓代工論壇上公佈了自家的工藝路線圖,FinFET工藝在7、6、5、4nm之後就要轉向GAA環繞柵極電晶體工藝了,3nm節點開始使用第一代GAA工藝,官方稱之為3GAE工藝。

基於全新的GAA電晶體結構,三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強電晶體性能,主要取代FinFET電晶體技術。

此外,MBCFET技術還能相容現有的FinFET製造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生產。

根據三星的路線圖,他們2021年就要量產3GAE工藝了,這時候台積電也差不多要進入3nm節點了,不過台積電尚未明確3nm的技術細節,這意味著三星已經在GAA工藝上領先了。

根據IBS(International Business Strategies)公司CEO Handel Jones的說法,三星3nm GAA工藝在技術上領先了台積電1年時間,領先Intel公司2-3年時間,可以說三星要在3nm節點上全面反超台積電及Intel公司了。

但是三星的野心不止於此,目前尚未有公司宣佈3nm之後的半導體工藝,目前大家都認為摩爾定律在3nm之後就要徹底失效,遭遇量子物理的考驗,而三星則希望借助GAA工藝開發2nm工藝,未來甚至要實現1nm工藝。

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