名古屋大學於本(113)年5月28日公布新型氮化鎵長晶法—「自由基輔助有機金屬化學氣相成長法(REMOCVD)」，可望促進氮化鎵半導體生產之高品質與低成本，並已刊登於《Scientific Reports》上。

過去氮化鎵半導體長晶技術主要使用對人體有毒之氨氣，且成長溫度需達1150℃以上，十分耗能。新方法通過使用氮氣、氫氣及電漿，取代傳統之有機金屬化學氣相成長法(MOCVD)。

為進一步降低從發電廠到家庭電網中之送電損耗，並提升鐵道車輛及電動車輛中之馬達效率，提升功率半導體性能至關重要。現因成本低廉，許多功率半導體之材料仍使用矽，但矽本身電阻高，並不適合用於功率半導體。因此，碳化矽(SiC)和氮化鎵逐漸受到重視。

氮化鎵的功率半導體材料適性指標「Baliga性能指數」為930，故應用前景廣闊。但氮化鎵長晶多使用大量有毒氨氣之MOCVD法，且需1,150℃以上之高溫。新開發之REMOCVD法則無需氨氣，而是使用氮氣和氫氣自由基，且長晶溫度僅約800℃，有望替代MOCVD法，實現氮化鎵半導體之低成本化及高品質化。

資料來源：

名大、窒化ガリウム用の高品質化と低コスト化を実現する結晶成長法を開発(https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240529-2955127/)