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半導體行業三巨頭激戰後20nm微細化
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“半導體奧運會”的主角將重返賽場。在2014年2月9~13日於美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)2014”上,世界最大的半導體企業美國英特爾公司將沉寂兩年後再次發表論文,介紹已於2013年中期投放市場的22nm工藝微處理器“Haswell(開發代碼)”等8項成果。

除了數位領域,英特爾在儲存器、通信、類比、攝像元件等領域也收穫頗豐。小於20nm的微細化技術、著眼於後微細化時代的三維化技術、省電力技術等最新成果也源源不斷。

英特爾將命運託付給工藝技術
面對領先的英特爾,台積電(TaiwanSemiconductorManufacturing)和三星電子則發起了追擊。
ISSCC2014的看點之一是上述“三巨頭”的SoC(systemonachip)微細化之爭。英特爾在本次會議上將詳細介紹集成處理器和穩壓器、採用新電源的Haswell省電力技術。到會議舉辦之時,14nm工藝處理器“Broadwell”(開發代碼)也有望投入量產。

在2013年11月下旬的業務說明會上,英特爾首席執行官布萊恩•科再奇(BrianKrzanich)宣佈將全力開展代工業務。在移動產品SoC陷入苦戰的局面下,憑藉行業最尖端的製造技術與對手一決勝負。

世界第一大代工企業台積電將發表在2013年底啟動少量生產的16nm工藝技術。因為是該公司第一代採用立體電晶體(FinFET)的技術,代表製造技術成熟度的SRAM的完成情況估計會引發關注。該公司預計將在2014年上半年,為美國蘋果等客戶建立起20nm工藝技術體系。16nm工藝也將於2014年內投入量產。
三星將發表單元面積達到業內最小的14nm工藝SRAM。直到28nm工藝,三星一直壟斷著蘋果公司SoC的代工業務。在堡壘即將被20nm工藝攻陷的今天,14nm將成為該公司力挽狂瀾的寶劍。

宣佈正式開展代工業務的英特爾將從何時開始為蘋果等大公司代工生產SoC?這一點估計將吸引業內人士的目光。

NAND揭開三維化大幕

SoC微細化競爭趨於白熱化,而在NAND快閃記憶體領域,一篇預示微細化終結的論文即將發表。那就是三星關於三維NAND快閃記憶體的論文。這種快閃記憶體疊加24層記憶體單元,實現了現行NAND快閃記憶體的最大容量——128Gbit。此次發表16nm工藝NAND快閃記憶體的美國美光科技與韓國SK海力士也計畫在這一代向三維過渡。探索半導體新應用途徑的論文也有望成為關注的焦點。尤其引人注目的是醫療晶片。這種晶片的作用是嵌入人體內,監控健康狀態,按照需要刺激體內組織遏制發病。這種可作用於人體的半導體晶片也將在會議上亮相。

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