美光2日宣布，全球最先進的 DRAM（動態隨機存取記憶體）技術 1β（1-Beta） 節點正式量產出貨，領先三星一步。今年6月，美光就曾表示，1β會先在日本廣島量產，再逐步導入台灣廠區。

美光指出，目前 1β 的量產已經全面就緒，開始為特定智慧型手機製造商提供。1β單位功率更低，能讓手機製造商則能以此為基礎，設計出電池續航力更久的裝置，滿足消費者大多希望在使用耗能、資料密集型的應用時，希望電池續航力更持久的願望。台灣美光董事長盧東暉表示，按照當前的情況來看，注重體驗的高階智慧手機，將會率先採用。

當前在DRAM領域的市場三巨頭，除了美光，另外兩位分別為三星和SK海力士，後兩者皆還停留在 1α 階段。然而，根據南韓媒體《BusinessKorea》今年4月的報導，由於三星在 1β 的開發上遇到困難，因此直接決定跳過該節點，直接開發1c（對標美光1γ（gamma）），預計將在2022年底之前開發完成。

由於記憶體不斷微縮，業界習慣透過1y、1z、1α、1β、1γ（由大到小）等方式，來稱呼不同世代的記憶體

1β節點指的是什麼？優點在哪？應用有哪些？

在這樣的競爭的局勢下，1β是目前最先進的 DRAM 製程節點，具有低延遲、低功耗和高性能等特點，從智慧車輛到資料中心都是可能的應用。

幾十年來，隨著每個製程節點的演進，半導體產業每一兩年縮小晶片尺寸縮小一次。然而隨著晶片變得越來越小，電路圖微縮便需要挑戰物理極限。當前三星同等級的 DRAM 產品（8.5Gb LPDDR5X DRAM）已使用了更精細的EUV曝光機台來製作 DRAM ，不過美光並未跟進。

雖不採用EUV，但美光又能將更高的記憶體容量塞入更小的空間內，替客戶節省了成本。美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「要歸功於美光獨家的多重曝光微影和製程技術，以及先進的材料能力。」

1γ節點才會用EUV助力，美光：DRAM還有很大成長空間

至於何時美光才會採用EUV？今年6月時，盧東暉便在一場媒體見面會上表示，美光將可能會在1β後、更先進的1γ（1 gamma）節點時採用EUV。當時他指出：「現在是引入EUV的好時機，從曝光機、光罩到人員培訓等生態系都已經成熟。」

雖然近期的半導體市場進入週期性的循環狀態，盧東暉卻一點都不擔心，他表示：「美光在1γ引入EUV，就代表是對於DRAM有信心，不會只做一代。」從當前的車用、HPC（高速運算）發展的趨勢來看，還有相當大的成長空間。

而在今年7月，美光才出貨獨步全球的 232 層 NAND，達成公司史上首次在 DRAM 和 NAND 兩個領域同時居於市場領導地位。雖然於市占率上還未能趕上記憶體龍頭三星，但急起直追的雄心顯而易見。