美光科技今宣布，其全球首款 232 層 NAND 已正式量產。它具備業界最高的單位儲存密度（areal density），並提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率，能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援。

美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「美光的 232 層 NAND 作為儲存裝置創新的分水嶺，首次證明了我們具有將 3D NAND 擴展到 200 層以上的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新，包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發，以及針對美光獨步業界的 176 層 NAND 技術所進行的設計改進。」

美光的 232 層 NAND 技術不僅具備必要的高性能儲存，可以支援資料中心和汽車應用所需的先進解決方案和即時服務，也能提供行動裝置、消費性電子產品和個人電腦所需的回應速度及沉浸式體驗。

該技術節點達到了NAND I/O 速度：2.4 GB/s，將滿足以數據為中心的工作負載（如人工智慧、機器學習、非結構化資料庫和實時分析、雲端運算等）的低延遲和高吞吐量需求，比美光 176 層製程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快 50%。與前一代產品相比，美光 232 層 NAND 的每晶粒寫入頻寬提高 100%，讀取頻寬亦增加超過 75%，這些優勢將進一步強化 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能源效率。

此外，美光 232 層 NAND 引進全球首款六平面（6-Plane） TLC 生產型 NAND，是所有 TLC 快閃記憶體3中每晶粒擁有最多平面的產品，且每個平面都有獨立的讀取能力。

美光的 232 層 NAND 也是首款在生產中支援 NV-LPDDR4 的產品，此低電壓介面與過去的 I/O 介面相比可節省每位元傳輸逾 30%，因此，232 層 NAND 解決方案得以為在提高性能和低功耗之間力求平衡的行動應用、資料中心、智慧邊緣的部署提供理想的後援。該介面亦向下相容，支援舊款控制器和系統。

232 層 NAND 的單位儲存密度 較目前市場上的 TLC 競品相比高出 35% 至 100%。232 層 NAND 並採用比美光前幾代產品小 28% 的新封裝尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封裝使其成為目前最小的高密度 NAND，在更小的空間內實現更高的容量也有助於大幅降低應用時所佔據的主機板空間。