訂閱電子報∣ 友善列印字體大小 文章分享-Facebook 文章分享-Plurk 文章分享-Twitter
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制
CTimes王岫晨
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。

半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。

一般來說,GaN元件具有優異的低導通電阻和高速開關性能,有助降低各種電源功耗和實現週邊元件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關工作時的元件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,ROHM新產品透過獨創結構,成功將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說,在開關過程中即使產生了超過6V的過衝電壓,元件也不會劣化,有助提高電源電路的設計餘裕和可靠性。此外,該系列產品採用支援大電流且具有出色散熱性的通用型封裝,將使安裝工程的操作更加容易。

新產品於2022年3月起開始量產,前段製程的製造據點為ROHM Hamamatsu (日本濱松市),後段製程的製造據點為ROHM(日本京都市)。

ROHM將有助節能和小型化的GaN元件產品系列命名為「EcoGaNTM」,致力大幅提高元件性能。今後,ROHM將繼續研發融合「Nano Pulse Control」等類比電源技術的控制IC及模組,透過可充分發揮GaN元件性能的電源解決方案,助力永續發展社會的實現。

名古屋大學 工學研究所 山本真義教授表示,今年日本經濟產業省制定了2030年新建資料中心節能30%的目標,目前距實現該目標只有不到10年的時間。然而,這些產品的性能不僅涉及到節能,還攸關到社會基礎設施的堅固性和穩定性。針對今後的社會需求,ROHM研發了新的GaN元件,不僅節能性更佳,而且閘極耐壓高達8V,可以確保堅固性和穩定性。從該系列產品開始,ROHM將透過融合自豪的類比電源技術「Nano Pulse Control」,不斷提高各種電源效率,在不久的將來相信會掀起一場巨大的技術革新浪潮,進而在2040年的半導體和資通訊業界實現碳中和的目標。

訂閱電子報 友善列印 字體大小:
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。