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領先全球!工研院研發28nm鐵電記憶體與記憶體內退火加速晶片
CTimes籃貫銘
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工研院在美國舊金山的2021國際電子元件研討會(2021 IEDM)中,發表可微縮於28奈米以下的鐵電式記憶體,具高微縮性與高可靠度,唯一能同時達到極低操作與待機功耗的要求,未來更可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統。

經濟部技術處表示,半導體發展趨勢走向製程微縮,低耗能,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來將扮演更重要角色。為維持臺灣半導體產業的國際競爭力,經濟部技術處持續推動「物聯網尖端半導體計畫」、「AI on chip 計畫」;未來也會投入量子電腦等相關領域技術的研發,支持工研院與產業深耕下世代記憶體關鍵技術,佈局下世代運算關鍵領域。

工研院電子與光電系統所所長吳志毅表示,工研院在下世代記憶體技術上深耕多年,這次發表的鐵電記憶體,除了能同時達到極低操作與待機功耗要求,這次更開發出可微縮於28奈米以下的關鍵技術,與過去只能在65nm以上製程實現的技術,領先了二個製程節點以上,晉升28nm以下先進製程等級的嵌入式記憶體產品,未來可應用智慧手機、智慧車載、AR/VR等AIoT應用。

而這次在IEDM中,工研院也攜手陽明交通大學,發表將記憶體技術應用於退火加速運算的成果,以量子啟發式(meta-heuristic)計算演算法,開發出全球第一顆記憶體內退火加速晶片,較既有運算速度快萬倍,可被視為未來量子電腦的殺手級應用,廣泛應於半導體製程、生醫基因定序、金融商品、物流排程上,加速產業落地與創新。

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