全球第二大 NAND 快閃記憶體製造廠鎧俠 (Kioxia，原本的東芝記憶體) 週四 (25 日) 在日本三重縣四日市市舉行全新廠房 (Fab7) 的動工儀式。未來將導入全新的生產設備，以生產新一代採用 162 層堆疊技術的記憶體晶片。

設備投資總額估計達 1 兆日圓規模，最快在 2022 年投產 3D NAND 快閃記憶體。

鎧俠在四日市工廠興建全新廠房 Fab7，主要目的是為了增產第六代的 3D NAND 快閃記憶體「BiCS FLASH」。

在設備投資方面，鎧俠的合作夥伴美國威騰電子 (WDC-US) 也有共同參與，廠房建設則是分成前後兩期實施，採用 162 層堆疊技術的 3D NAND 快閃記憶體，與現有 112 層堆疊技術的產品相比，資料寫入速度可提升至 2.4 倍、晶片尺寸也縮小 4 成。由於當前 5G 通訊普及，鎧俠看好資料量將大幅增加，要在資料中心及智慧型手機的相關需求方面開拓市場。

此外，鎧俠在日本岩手縣北上市的北上工廠旁，也取得約 13.6 萬平方公尺的工廠用地。計畫在 2021 年的春天動工，目標 2022 年的春天完工。未來要在增產投資的體制方面做好準備，以配合需求量的增加來進行機動性調整。