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第三代半導體材料行業熱度不減快充爆發
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奧海科技在互動平臺表示,公司已自主研發出快充氮化鎵產品。而在上週五,聚燦光電公告稱,擬投資約35億元建設擴產專案,主要產品為Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片。

記者瞭解到,第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是 5G 時代的主要材料。雖然第三代半導體尚處於發展初期,但市場前景廣闊。根據Omdia發佈的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》顯示,到2020年底,全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計8.54億美元。未來十年的年均兩位數增長率,到 2029 年將超過50億美元。

中芯國際創始人張汝京此前曾表示,第三代半導體IDM模式是主流。記者注意到,在第三代半導體相關公司中,科創板上市公司華潤微即採取了IDM模式。

華潤微披露的半年報顯示,公司現有在研專案之“矽基氮化鎵功率器件設計及工藝技術研發”,該項目預計總投資2.44億元,已累計投入1082.84萬元。該在研專案擬達到的目標是,完成650V矽基氮化鎵器件的研發,建立相應的材料生產、產品設計、晶圓製造和封裝測試能力。據瞭解,產品將應用于智慧手機充電器、電動汽車充電器、電腦適配器等領域。

另外,GaN充電器具有功率大、體積小、效率高的特點,是超級快充技術突破的關鍵,因此機構預計下半年開始將成為旗艦手機標配進而迎來爆發式增長。

在今年2月披露的招股書中,針對“前瞻性技術和產品升級研發專案”,華潤微稱,公司擬在快充電源控制晶片、智慧音訊功率放大器等壁壘較高且未來增長較快的細分領域開展進一步研究,具體包括2W-100W各種功率段的音訊功放產品的研發及基於GaN的PD電源控制晶片研發等。

記者注意到,在今年半年報中,華潤微已經在開發“基於GaN的快充方案及晶片研發”的專案,該專案擬投入資金3948萬元,截至半年報披露累計投入74.51萬元。該專案擬達到的目標是採用新型的GaN器件控制及驅動技術,開發GaN器件的驅動晶片及基於GaN器件的快充電源系統方案。

除 GaN外,對於第三代半導體材料——碳化矽,華潤微擁有的中國首條 6 英寸商用 SiC 晶圓生產線正式量產。今年7月4日,上海慕尼克電子展期間,華潤微電子功率器件事業群正式向市場投入1200V和650V工業級SiC肖特基二極體系列產品,產品可廣泛應用於太陽能、UPS、充電樁、儲能和車載電源等領域。

需要注意,碳化矽器件價值鏈可分為襯底——外延——晶圓——器件,其中襯底所占的成本最高為50%,主要原因單晶生長緩慢且品質不夠穩定,這也使得碳化矽價格高,沒有得到廣泛的推廣。

華潤微則在報告期內通過華潤微電子控股有限公司與中國領先的碳化矽外延晶片企業-瀚天天成電子科技(廈門)有限公司(以下簡稱“瀚天天成 ”)達成《增資擴股協議》,增資後公司持有瀚天天成3.2418%的股權。

圍繞著第三代半導體材料業務佈局相關情況,記者今日多次聯繫採訪華潤微,但電話無人接聽。

除華潤微外,揚傑科技同樣採取的IDM的經營模式,今年半年報顯示,揚傑科技的產品包含碳化矽SBD、碳化矽JBS等。

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