日前台積電宣布與意法半導體(ST)合作，共同推動氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)製程技術發展。氮化鎵在汽車、工業、電信以及特定消費性電子產品的應用上，具有比傳統矽基半導體更優異的節能效益，同時元件切換速度比矽基元件快10倍，也能讓系統使用的元件更精簡，進而縮小終端產品的外觀尺寸。透過此合作，意法半導體將採用台積電領先的氮化鎵製程技術，來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。

氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，相較於傳統的矽基半導體，氮化鎵擁有高度效能優勢，包括在高功率的同時達到更大的節能效益，大幅降低寄生功耗。除了功耗方面的提升，相較矽基元件，氮化鎵元件的切換速度加快10倍，並且能在更高溫的環境下運作，具備更廣泛的應用場景，主要使用在100伏與650伏特電壓之間的產品，包含工業、汽車、電信及部分消費性電子產品。

為了加速氮化鎵技術的落地應用，台積電借助意法半導體的產品設計與汽車產業經驗，並貢獻氮化鎵的製造技術，協助意法半導體提供中功率與高功率應用所需的解決方案，包括油電混合車的轉換器與充電器的產品設計。若氮化鎵功率電子成功進入工業即汽車供率轉換使用，是必成為汽車電氣化發展的一大進程。