據Impress Watch網站報導，10月9日，日本東北大學國際綜合電子技術研發中心主任遠藤哲郎和電氣通信研究所大野教授宣佈開發出可實際運用的SOT，並且成功演示了SOT-MRAM單元的操作。

半導體記憶體領域中，隨著電晶體小型化，待機功率增加，使用自旋電子技術的非易失性記憶體越來越吃香。其中，根據磁體的方向顯示不同電阻值並由此記錄0和1的狀態的磁隧道結元件(MTJ)應用正在不斷發展，而STT-MRAM則是代表之一。但是STT-MRAM無法處理納秒級至亞納秒級的運算，並且無法替換用於CPU緩存的SRAM。因此 SOT作為彌補STT-MRAM的缺點的技術逐漸發展起來。

遠藤哲郎教授小組的研究將日本內閣府的創新研究與發展促進計畫(ImPACT)培育出的SOT器件技術與小組開發的沉積技術，佈線製造技術和反應性離子蝕刻技術相結合，成功生產出0.35ns超高速運行性能的設備。此外，此前未實現的400℃的耐熱性和非易失性記憶元件的熱穩定性均已達成。

由此可見，具有低功耗的高性能SOT-MRAM的實際應用已經成為現實。