日前美光公司在新加坡舉行了Fab 10A工廠啟用慶典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在內的高層及合作夥伴、供應商、經銷商等500多人參加了活動。

除了美國本土之外，美光公司在新加坡有編號Fab 10的NAND工廠，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又擴建了Fab 10晶圓廠的生產能力，新蓋了無塵室等生產設施，提高了Fab 10晶圓廠的生產靈活性。

不過在目前NAND快閃記憶體價格持續下滑的情況下，美光雖然擴建了新加坡的Fab 10A工廠，但並不打算增產NAND，通過資本開支調整、技術轉換等方式，Fab 10廠區的總產能不變。

美光CEO Sanjay Mehrotra還提到了美光NAND快閃記憶體路線圖的變化，目前96層堆疊的3D快閃記憶體已經量產，而在第四代3D快閃記憶體上會有重大變化，128層堆疊快閃記憶體將會從此前的FG浮柵極技術轉向RG替換柵極技術。

在2D快閃記憶體時代，各大廠商基本上都是以FG浮柵極技術為主，轉向3D快閃記憶體之後三星率先使用了CTP電荷陷阱技術，其他廠商也陸續跟進，只有美光、Intel有所不同，雙方在3D快閃記憶體技術發展上也產生了分歧，據說這就是兩家公司在96層堆疊3D快閃記憶體之後決定分手、互相獨立研發生產的關鍵，Intel會繼續堅持浮柵極。

在美光之外，其他家快閃記憶體廠目前沒有聽說採用RG可替換柵極技術的。