在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產能的計畫，並迅速轉向更先進的工藝技術。

美光表示，“我們相信，受人工智慧、自動駕駛汽車、5G和物聯網等廣泛的長期趨勢驅動，記憶和存儲的長期需求前景引人注目”美光公司首席執行官桑傑·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)說。“美光公司已準備好利用這些趨勢，創新產品，快速回應的供應鏈，與全球客戶建立良好關係。”

由於供應超過需求，近幾個季度DRAM價格大幅下跌。為了降低成本並為記憶體的新應用的出現做好準備，DRAM製造商正在積極地轉向更新的工藝技術。與此同時，雖然承認他們需要平衡DRAM的供需，但他們實際上已經制定了積極的產能擴張計畫，因為他們需要更多的潔淨室用於即將到來的製造技術。

美光公司在製造工藝方面擁有積極的路線圖，現在又增加了4個10納米級節點(總共6個10納米級技術)，該公司正在研究最終向極紫外光刻(EUVL)的過渡。美光還在擴大其生產能力，以便為下一代應用生產下一代記憶體，即為消費級準備32 GB記憶體模組，為伺服器準備64 GB DIMM。

本月早些時候，我們報導了美光的16 Gb DDR4記憶體晶片，該晶片採用該公司的第二代10納米級製造工藝(也稱為1Y nm)生產。這些DRAM晶片已經在用於威剛和英睿達的32 GB DDR4記憶體條中，這些產品也將不久後上市。

早在4月份，為了應對DRAM和新工藝技術需求的增加，美光存儲臺灣(前雷克斯光電半導體)新潔淨室破土動工。

美光儲存(臺灣)早已在使用美光的第一代10納米級製造技術(也稱為1X nm)製造DRAM產品，並將在不久的將來直接進入第3代10納米級工藝(又名1Z nm) 。與此同時，去年美光在台中附近開闢了一個新的測試和包裝設施，創造了世界上唯一的垂直集成DRAM生產設施之一。

此外，美光公司宣佈計畫在日本廣島附近的公廠內投入20億美元用於新的潔淨室。據報導，新的產能將用於製造美光13納米工藝技術的DRAM。

總的來說，美光將擁有多個10納米級節點。除了目前使用的第一代和第二代10納米級工藝技術外，美光還計畫推出至少四種10納米級製造工藝：1Z，1α，1β和1γ。

目前，美光公司正在生產第二代10納米級製造工藝(即1Y nm)，包括該公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4記憶體件。

該公司的下一代1Z nm目前已獲得客戶的認可(即，他們正在測試使用該工藝生產的各種晶片)，預計將在近期宣佈，該技術將用於生產16 Gb LPDDR5記憶體件以及DDR5記憶體件。

繼1Z nm節點之後，美光計畫開始使用其1αnm製造技術以獲得更高的產量，這意味著它正處於後期開發階段。之後是1βnm製造工藝，該工藝也是處於早期開發階段。

美光沒有說明在1γnm工藝之後是否會直接進入EUV。該公司正在評估ASML的Twinscan NXE步進掃描功能以及使用極紫外光刻技術生產所需的其他設備，並正在評估這些工具何時可用於製造DRAM。