安森美半導體(ON Semiconductor)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布，安森美將以4.3億美元收購格羅方德位於紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的12吋晶圓廠，其中1億美元已在簽署最終協議時完成支付，其餘3.3億美元將在2022年年底支付；之後，安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面營運控制權。藉由此次收購，安森美能獲得豐富的12吋晶圓製造和開發經驗，進而使自身的開發技術與產品產能更上層樓。

安森美半導體總裁暨執行長Keith Jackson表示，收購12吋東菲什基爾晶圓廠是使該公司強化電源和類比半導體市場競爭優勢一大關鍵。本次收購將使公司未來幾年增加更多的產能，以支援電源和類比產品的成長，遞增生產效率，並加快實現我們目標財務模型的進程。

據悉，該協議將使安森美半導體未來幾年增加在東菲斯基爾晶圓廠的產量(如大量金氧半場效電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)等產品)，而格羅方德會將其眾多技術轉移至另外三座同規模的12吋晶圓工廠。根據協議條款，格羅方德將在2022年年底前為安森美半導體生產12吋晶圓，預計將於2020年開始為安森美半導體製造首批12吋晶圓。

另外，該協議還包括一項技術轉移和開發協議，以及一項技術授權協議，安森美能藉此獲得更豐富的12吋晶圓製造和開發經驗，使公司晶圓製程從8吋晶圓轉至12吋晶圓；同時，安森美半導體將立即獲得先進的CMOS能力，包括45nm和65nm技術節點，這些製程將為安森美半導體未來的技術開發奠定基礎。

格羅方德執行長Tom Caulfield指出，本次合作使格羅方德能夠進一步最佳化在全球的資產，並加強投資於促進增長的差異化技術，同時確保Fab 10製造工廠和員工的長期發展。