新聞來源：韓國首爾經濟新聞(2019年4月25日)
據韓國首爾經濟新聞報導，韓國三星電子公司於本(108)年4月24日發表「半導體願景2030」，計劃未來10年每年約投資11兆韓元，總投入133兆韓元，發展為全球第1大非記憶半導體公司，三星電子公司似擬將維持全球首位之半導體記憶體「super gap」策略套用於非記憶半導體領域。
三星電子公司發表之培育非記憶半導體領域計畫主要內容如次：
- 投資133兆韓元擴增研發(R&D)及生產設施：在研發領域投資73兆韓元、生產設施60兆韓元，擬設置晶圓代工等非記憶半導體生產線。
- 招聘1萬5千名專業人才：為提高非記憶半導體之技術競爭力，將直接聘用6,000名研發人才及9,000名製造人才。
- 與韓國國內無廠半導體(fabless)公司共有技術：三星公司為加強韓國國內之系統半導體生態系，將執行「大、中小企業雙贏對策」，增加支援LG Silicon Works等中小無廠半導體公司。
- 協助韓國中小無廠半導體公司小量生產：三星電子決定開放中小無廠半導體(fabless)公司使用三星電子之設計資產(IP)、類比IP、安全IP及軟體，降低委託生產數量之標準，積極支援中小無廠半導體公司小量生產。
據世界半導體貿易統計協會(WSTS)統計，本年度全球非記憶半導體市場規模為3,212億美元，占半導體市場總規模4,837億美元之66%，已大於記憶體市場，另因5G、人工智慧(AI)及電場等第4次工業革命所需之晶片設計，帶動半導體製造需求增加，相當具有發展潛力。