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NAND產業資本支出持續增加 恐不利價格走勢
鉅亨網編譯凌郁涵
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據調研機構 IC Insights 週二 (10 日) 最新研報指出,預計全球主要 NAND 供應商將大幅擴大資本支出,來拉高產能,估計今年的 NAND 記憶體價格將進一步走跌。

如上圖 所示,美光認為,NAND 記憶體產業為了維持出貨成長,每年都將增加 40% 資本支出擴增產能,2015 年資本支出為 90 億美元,到 2018 年已增加 2 倍達 220 億美元,之所以有這麼龐大的資金成長,是各廠都積極往 3D NAND 方向布局,由於 3D NAND 需要更多的晶圓廠設備與無塵室,造成資本支出金額成長。

全球五大 NAND 記憶體供應商也都聲稱,相信未來幾年內,NAND 出貨量每年的成長率平均約為 40%。而如上圖所示,去年美光為要支持 NAND 記憶體 40% 的出貨量增長,事實上實際資本支是出比所需之資本支出還要超出 27%,而今年預計將會有超過 41% 的額外資本支出,資本支出預算一路擴大。

記憶市場的歷史先驅表明,過多資本支出通常會導致產能過剩,以及價格疲軟;三星 (005930-KR)、海力士 (000660-KR)、美光、英特爾 (INTC-US)、東芝 (6502-JP)、Western Digital (WDC-US) 和武漢新芯都計劃未來幾年內大幅提升 3D NAND 記憶體產出數量,其他新的中國廠商也可能會持續進入這個市場。IC Insights 認為,產業各廠高估 3D NAND 市場需求,風險持續不斷升溫。

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