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英特爾傳與紫光合作 研調憂恐對NAND價格走勢帶來變數
鉅亨網記者楊伶雯 台北
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DRAMeXchange 指出,英特爾與美光雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash,預計第三代將可堆疊 96 層,代表 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發,英特爾將正式與美光分道揚鑣;這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家後,雙方將有更大的彈性尋求新合作夥伴。
 
DRAMeXchange 表示,英特爾一直高度關注中國市場,在 CPU、modem、記憶體等領域都積極尋求不同的合作或合資機會,並持續擴大在中國的產能,包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。
 
DRAMeXchange 調查顯示,近日英特爾與中國紫光存儲 (紫光集團旗下子公司) 正積極擬訂長期合約,未來紫光將能自英特爾獲得一定比例 NAND 晶圓,經自行封裝測試成不同產品後,由紫光自有通路進行銷售。
 
觀察紫光在快閃記憶體的布局,主要由長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產,紫光存儲負責銷售;但目前長江存儲所設計的 NAND Flash 產品仍以 32 層為主,因此在正式開發出 64 層或更高層數的產品以前,紫光存儲為維持通路銷售競爭力,將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體晶圓成品,再封裝成包含 UFS、eMMC 及 SSD 產品。
 
DRAMeXchange 認為,紫光透過合作,除維持通路競爭力外,也能加強品牌能見度,儘管一開始還無法切入中高端智慧型手機,或在 client SSD 領域取得優勢,但這些策略將可以較低售價切進包含 Chromebook 或其他消費性電子產品的應用,後續恐對 NAND Flash 整體價格走勢帶來變數。
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