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英特爾與美光在3D NAND 96層後終止合作,將各自尋找合作夥伴
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英特爾與美光於201818日共同宣布,在完成第三代3D NAND Flash研發後,雙方將開啟各自的研發之路,雙方目前共同研發的第二代產品為643D NAND Flash,預計第三代將可堆疊96層,也意味著96層以後3D NAND Flash的產品研發,Intel將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響,但在確定分家之後,雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據TrendForce記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查,英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫,雙方可望建立正式銷售合作關係。

英特爾與紫光擬訂銷售合約,紫光存儲藉以耕耘渠道銷售競爭力

從英特爾的動向來看,英特爾一直以來高度關注中國市場,在CPUmodem、記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會。除此之外,英特爾也持續擴大在中國的產能,包含在中國大連地區以3D NAND為主的自主產能將持續擴張。近日Intel與中國紫光存儲(紫光集團旗下子公司)正積極擬訂長期合約,未來在此合約架構底下,紫光存儲將能夠獲得一定比例來自英特爾的NAND晶圓,經自行封裝測試成不同產品後,由紫光存儲的自有渠道進行銷售。

觀察清華紫光集團在快閃記憶體的布局,清華紫光集團主要有長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產,並由紫光存儲負責銷售。但由於目前長江存儲所設計的NAND Flash產品仍為32層為主,因此在他們正式開發出64層或更高層數的產品以前,紫光存儲為了維持渠道銷售的競爭力,將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體的晶圓成品,進而封裝成包含UFSeMMC以及SSD產品。

清華紫光集團透過這樣的方式,除了能夠維持渠道競爭力以外,也能夠加強品牌能見度。此外,儘管一開始尚無法切入中高端智慧型手機,或在client SSD領域取得優勢,然上述策略將可望以較低的售價切進包含Chromebook或其他消費性電子產品的應用,後續對NAND Flash整體價格走勢帶來變數。

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