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韓國三星電子公司半導體部門將面臨更激烈競爭及挑戰
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新聞來源:韓國Korea Herald報(2018年1月3日)

韓國三星電子公司半導體部門執行長金奇南日前對媒體表示,半導體產業目前雖呈現前所未有之榮景,惟因技術創新困難及未來供過於求可能再度發生等因素,該產業亦處於嚴峻之情勢,三星電子將持續努力進行技術創新,迎接更激烈競爭及挑戰,以保持其全球晶片製造商龍頭地位。

產業專家分析,三星電子對半導體之投資計畫可能對供需產生實質影響,進而重塑半導體市場。專家指出,三星電子最大之利潤來源為「動態隨機存取記憶體」(DRAM)部門,該公司預測「資料中心」(data
center)業務對DRAM需求之快速成長將形成供給緊縮,目前正在其韓國平澤新廠增設1條生產線以擴充其DRAM產量,產能將為6萬片晶圓,約為三星電子DRAM總產能的六分之一。三星電子在2017年11月公開擴充DRAM產能計畫時,市場因擔憂其擴充產能計畫將造成供過於求,DRAM價格曾在1週內下跌21.4%。依英國分析公司IHS Markit資料,2017年全球DRAM市場規模為722億美元,較2016年大幅成長72%,今(2018)年雖將持續成長,惟成長速度將減緩,預測今年全球DRAM市場規模將為844億美元,較2017年成長16.9%。專家預測未來DRAM市場可能因三星電子擴充產能而形成激烈競爭。

另去年三星電子在舉行2017年第3季營收會議時,曾提出其旗艦產品「3D儲存型快閃記憶體」(3D NAND flash memory)之技術創新計畫,並將其對NAND年度投資金額之60%分配於該項計畫。專家表示,今年NAND市場成長速度亦可能減緩,2017年NAND市場規模為538億美元,較2016年大幅成長46.2%。預測今年市場規模將為592億美元,成長約10%。

依市場研究公司IC Insights報告資料,2017年三星電子投資半導體金額計260億美元,占全球晶片製造商投資總金額之20%以上,估計該年三星電子投資140億美元於興建3D NAND生產設施,對DRAM及晶圓代工(Foundry)分別投資70億及50億美元。

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