訂閱電子報∣ 友善列印字體大小 文章分享-Facebook 文章分享-Plurk 文章分享-Twitter
今年DRAM產能增長10%;記憶體大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。
據國際半導體產業協會(SEMI)最新指出,2017年全球半導體產值將首度突破4000億美元的大關,而2018年仍會是樂觀成長的一年,預估半導體產值將成長4%-8%,且2019年產值將可望挑戰5000億美元關口。

SEMI臺灣區產業研究資深經理曾瑞榆表示,2017年是全球半導體產值破紀錄的一年,年成長率達20%,主因是記憶體強勁成長的帶動,其中,DRAM產值年成長75%、儲存型快閃記憶體產值(NAND Flash)年成長45%、其他IC產值年成長9%。

三星、海力士、美光擴產 ,今年DRAM產能成長挑戰10%
DRAM和 NAND Flash是這兩年全球半導體產業欣欣向榮的重要推手,尤其是在2017年全球半導體產值衝破4,000億美元中,受DRAM漲價潮帶動功不可沒。據SEMI預估,在三星電子、SK海力士持續擴展DRAM產能下,2018年DRAM供給端產能可能成長10%,這會是較大的成長,然終端需求也急起直追,估計到2021年,DRAM年成長率上看30%。

觀察全球DRAM產業三大陣營三星、海力士、美光,其中三星、SK海力士兩大韓系原廠在擴產腳步上加速,包括三星在南韓平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產線,以及SK海力士的M14生產線;另外,美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產計畫,但目前擴產的主力仍是在韓系兩大廠商。

除了DRAM產業擴產外,針對NAND產業,目前有擴產計畫的業者包括三星平澤廠、SK海力士的M14生產線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6,以及英特爾大連廠(Fab 68)等。

SEMI估計,2017年DRAM廠設備支出約130億美元,較2016一年成長了一倍,預計2018年持續成長至140億美元水準;2017年NAND產業設備支出約190億美元,較2016年100億美元有飛躍式成長,預計2018年NAND產業設備支出上看200億美元。

事實上,無論是DRAM和NAND陣營對於擴增產能都滿懷信心,但不要忽略,在物聯網、AI、汽車電子和消費類電子的應用驅動下,需求端也是呈現井噴式發展態勢。2017年半導體的主要成長來源是DRAM、NAND、感測器、光電和分離式元件,預期這些應用今年仍會持續驅動產業成長,另外,無線、車用與消費類電子產品等應用需求也將進一步成長。

半導體產業“三高”氣勢旺,中國國產化優勢逐步顯現
在2017年全球半導體產值突破4,000美元大關中,3D NAND大廠、DRAM原廠、晶圓代工廠三路人馬均在擴產搶佔市場,這也激發出半導體設備材料產業難得一見的巨大商機,面對2018年,整個全球半導體產業將會出現前所未見的欣欣向榮局面。

“六大3D NAND廠、三大DRAM陣營、兩岸晶圓代工廠擴產,帶動2017年晶圓廠設備投資相關支出達570億美元,創下歷史新高記錄。”國際半導體產業協會SEMI預測,2018年晶圓廠設備投資相關支出更會達到630億美元,再度攀上高峰!

除了全球半導體產值和半導體設備投資創新高外,2017年矽晶圓出貨量也出現新高。此即為2017年半導體產業“三高”,分別是產值銷售金額創新高、設備支出創新高、矽晶圓出貨量創新高。

綜觀3D NAND、DRAM、晶圓代工三大陣營的擴產現況,在3D NAND產業方面,計畫擴產的有三星平澤廠、SK海力士的M14生產線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6,以及英特爾大連廠(Fab 68)等;在DRAM產業方面,則有三星平澤P1廠房和Line 15生產線、SK海力士M14生產線、美光廣島的Fab 15和Fab 16。

根據SEMI統計,2018年DRAM產能增加幅度上看10%;3D NAND產能成長幅度高達48%;晶圓代工達5%。
在晶圓代工產業方面,有12寸廠的擴產計畫的包括台積電衝刺7納米和5納米制程的Fab 12/14/15晶圓廠;三星的S2和S3;GlobalFoundries的Fab1/8/11;中芯國際的北京廠B2、上海新廠、深圳新廠、聯電的Fab 12A P5和廈門廠。

受此建廠狂潮,最大受益者莫過於半導體機台設備商,尤其是3D NAND產業和20納米以下制程技術大量使用蝕刻機台,其次是CVD機台,相關設備商會最先受惠。

而在全球各地的設備支出金額方面,2017年韓國受惠三星、SK海力士大力擴產DRAM產能,韓國以180億美元取代臺灣躍升為全球最大的支出市場,其次是臺灣的126億美元;此外,SEMI預計,2018年韓國將持續以169億美元穩居第一,而中國大陸可能取代臺灣,成為全球第二大設備支出市場。

另值得注意的是,2018年中國半導體設備材料支出的後勁將會逐步顯現。由於2018年中國大陸受惠許多去年完工的晶圓廠可望進入設備裝機階段,因此中國支出金額會有較大成長。但與過去不同的是,過去大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商,而在2018年大陸本土晶圓廠設備支出金額將首次趕上外來廠商水準,包括長江存儲、福建晉華、華力微電子、合肥長鑫等許多新進業者都計畫在中國大陸大舉投資設廠的計畫,並且建置,產業格局將逐步改變。
 
訂閱電子報 友善列印 字體大小:
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。