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聯電推出40納米快閃記憶體制程 東芝MCU晶片評估採用
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晶圓代工廠聯電21日宣佈,推出40納米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式Super Flash非揮發性的記憶體制程平臺。

而新推出的40納米SST嵌入式快快閃記憶體儲,較當前量產的55納米制程在單元尺寸上減少逾20%,並使整體記憶體面積縮小20%到30%。

目前,日本半導體大廠東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片於聯電40納米SST技術制程平臺的適用性。

聯電表示,目前已有超過20個客戶和產品正以聯電的55納米SST制程技術嵌入式快閃記憶體制程進行各階段的生產。

其生產的產品包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU、及其他應用產品。

而針對新一代的40納米SST制程技術嵌入式快快閃記憶體儲制程平臺,東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊指出,東芝期待採用聯電的40納米SST制程技術來提升MCU產品的性能。

與聯電合作,將可透過穩定的製造供應及配合東芝的生產需求提供靈活的產能,亦將能夠保持強勁的業務連續性計畫。

聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示,自2015年起,聯電開始提供55納米SST制程技術的嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來,一直受到客戶的高度關注。

因為藉此制程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的資料保留和高耐久性的特性,可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。

未來,這些嵌入式快閃記憶體解決方案在擴展到40納米制程技術平臺之後,將可把SST制程技術的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓代工客戶。

聯電指出,分離式的閘極記憶體單元SST制程,是依據JEDEC所制定的規範標準,具100K耐久性,以及在85℃及工作溫度範圍為-40℃至125℃溫度的情況下,資料可保存10年以上的性能。

而現階段除了40納米的SST制程技術外,還有20多家客戶使用聯電的55納米SST制程技術來生產各類應用產品。
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