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莫大康:7nm的關鍵,EUV禁運怎麼辦?
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近日見到一文“7nm大戰在即買不到EUV光刻機的大陸廠商怎麼辦?”。

受“瓦聖納條約“的限止,今天中國即便有錢想買EUV光刻機也不可能,此話是事實,不是危言聳聽。但是也不必擔心,因為只有工藝制程達到7納米及以下時才會使用EUV光刻機。

對於這樣的現狀,首先心態要放正確。西方繼續壓制中國半導體業的進步,這個政策在相當長時間內還會持續下去。然而時代在改變,雙方都有一定的依賴性,因此是一場力量的搏奕。如果自身缺乏足夠強大的力量,那就會喪失爭辯的餘地。

晶片設計業走在前列
現階段中國的IC 設計業肯定走在前列,如海思的Kirin 970,它將是華為第一款採用 10 納米制程技術的手機晶片,而且將繼續由晶園代工龍頭台積電來進行代工,預計將可能在 2017 年底前問世。所以從中國的晶片設計業角度,一定需要去思考7納米及以下的進程。

另外從IC研發角度,對於7納米及以下的工藝制程,由於週期很長,現在啟步也很有必要,但是研發與量產是兩個不同的階段,差異很大,也並非一定要用EUV光刻,用電子束光刻也同樣可以。電子束光刻的問題不是精度不夠,而是速度太慢,每小時才10片矽片左右。

但是現階段中國晶片製造業的龍頭企業中芯國際,它的量產制程能力是28納米,幾乎差了三代。因此假設有一天臺積電不讓海思代工,而海思也找不到其它的候補者,如三星,英特爾,或者格羅方德等,那麼情況是嚴峻的,但也沒有什麼可怕,事情真逼到這一刻,或許會促進中芯國際等更加倍的努力。

研發與製造不一樣
僅從IC研發角度,中國半導體業從理性上至少要提前量產水準的兩代或者以上,決定於有經費的支持,及具備有相應的人材條件等。

然而對於建造晶片製造生產線,它由市場,技術及人材與競爭對手等條件來決定,需要作市場可行性的論證。

顯然還有一個最關鍵的因素,建一條7納米晶片生產線,月產能40,000片大約需要近80億美元,如果考量它的投資回報率ROI,此等決定要非常的謹慎。

因此,未來中國半導體業的發展,從研發角度,10納米,7納米等都可以,提早佈局也應該,然而對於興建晶片生產線,至少在近時期內,可能14納米工藝制程是一個務實的目標。

要爭氣,要迅速的自強,否則永遠抬不起頭

因此現階段中國半導體業的發展要作好兩手的準備:

一個方面是繼續改革開放,引進先進制程技術與加強研發,力求共同發展與共用成果;

另一方面是要作好”萬一”發生時的各種應對”預案”。

任何時候要樹立足夠的信心,回顧上世紀70-80年代,西方實行嚴格的禁運策略,更多的半導體設備都不允許進入中國,可那時的中國半導體業不僅沒有趴下,反而取得不少的成績。

現在的時代己經改變,”你中有我,我中有你”與”合則雙贏,鬥則雙輸”,這個道理其實是雙方都心知肚明,關鍵是中國半導體業要爭氣,要迅速的自強,否則永遠會抬不起頭。

西方的策略也不再是鐵板一塊,如近期展訊的手機晶片在英特爾代工,採用先進的14納米工藝平臺,下一階段在它的Zane Ball的工藝圖譜上還包括10納米、及7納米制程。

總之,按照中國晶片製造業的現狀,離7納米制程量產可能尚有些遠。而且EUV光刻的配套設備與材料也十分複雜,包括光源,光刻膠,掩膜(mask),中間掩膜(reticle),及缺陷檢查儀等。因此可以說化1億美元馬上去購買1台EUV光刻機,可能並非完全有必要,而且它的耗電量也十分驚人。

事情總是“有所為,有所不為”,在許多情況下“什麼事不為”往往是很難下決心。現階段對於中國的晶片製造業最緊迫的任務是擴大28納米的全球市占率,以及加速14納米與以下制程的研發進程。

如果真到那個時刻,中國的IC設計晶片找不到地方可以代工,恐怕”壞事會變成好事”,會更加促進如中芯國際等公司的急起直追。

雖然“資本與技術兩個輪子”推動著中國半導體業的進步,但是現階段明顯是技術輪子要小很多,而資本的輪子大,也表示孕育著更大的風險。

所以“有所為,有所不為”的策略選擇,尤其是要迅速的加大技術輪子的力度,加強研發的進程,對於中國半導體業的發展是格外的迫不及待。
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