訂閱電子報∣ 友善列印字體大小 文章分享-Facebook 文章分享-Plurk 文章分享-Twitter
台媒:大陸半導體過度依賴模仿,不是好現象
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。
過去中芯國際就曾侵犯台積電的邏輯制程專利,至於在記憶體技術上,專利既多且廣,美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎,未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。
從技術與產品來看,許多大陸公司因為無法取得授權,只能靠挖角日、韓及臺灣團隊,想辦法拼湊組合。 以DRAM為例,目前代表性公司合肥長鑫,就從南韓SK海力士、日本爾必達及臺灣華亞科挖角,其中華亞科前資深副總劉大維也被延攬。
至於3D NAND Flash代表企業武漢新芯,已和紫光集團合組長江存儲,技術來源就是已併入賽普拉斯(Cypress)的飛索半導體(Spansion)。 不過,雙方合作傳聞都還沒動靜,日前長江存儲還發佈新聞稿澄清,表示從未發表過32層3D NAND Flash 今年量產的消息,未來後續發展恐怕須再觀察。
根據IC Insights2月公佈的報告,大陸半導體業倚賴挖角與模仿建立技術基礎,是冒著極大的專利侵權風險;過去中芯就曾侵犯台積電的邏輯制程專利,至於在記憶體技術上,專利既多且廣,美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎,未來大陸企業將面臨新一波專利訴訟。 IC Insights也預期,大陸想在二五年達到半導體自給自足目標,難度相當大。
華中科技大學微電子學院執行院長鄒雪城說,大陸在半導體行業摸索多年,如今已找到較正確且成功的模式,在中國政府支援下,武漢已成為發展國家儲存器的重鎮,「這項任務既十分光榮,也十分艱巨,需要下定決心,爭一口氣。 」
鄒雪城目前身兼武漢國家積體電路人才培養基地主任、武漢積體電路設計工程技術研究中心主任,十多年前,他曾代表武漢與國際半導體廠進行合作談判,也曾投票反對武漢新芯成立的必要性,原因是當時產業發展的環境與條件都不成熟,而且規模太小,還採取由中芯託管的方式,成功機會不高;不過,如今他認為環境、條件都成熟了, 因此積極推動武漢參與國家240億美元記憶體的計畫。
中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍表示,他多年來與臺灣半導體公司交流,對臺灣從業人員的敬業態度印象深刻,這也是大陸產業界可以好好學習的。 郝躍也不諱言,大陸在大舉投入半導體建設的同時,也要注意人才不足的問題。 郝躍早在2000年就投入氮化鉀(GaN)半導體材料的研究,在沒經費、沒基礎的情況下,自己做設備並成功開發產品,他帶領的團隊如今都是大陸半導體業的重要人才。
訂閱電子報 友善列印 字體大小:
獲取產業訊息零時差!立即訂閱電電公會電子報。