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記憶體銷售額創紀錄背後的喜與憂
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根據IC Insights的最新資料顯示,DRAM和NAND這兩種記憶體類型的銷售額在今年將創下歷史新高。但是故事的主角已然不是本該作為中流砥柱的技術,而是價格。

當手機廠商供應鏈缺貨的消息一波波接踵而至的時候,嗅覺敏銳的半導體廠商已經意識到,在今年的手機大潮中,技術已經淪為了故事的配角,這種情況在DRAM和NAND記憶體市場尤其突出。

是的,三星、SK海力士、美光這樣的記憶體大廠在這場大戲中悉數到場,大張旗鼓,加碼記憶體晶片佈局的舉措真可謂是應接不暇,頗為熱鬧。不論是原本作為主角的智慧手機還是其他的手機零部件,即便缺貨情況也是真實存在的,但是與記憶體相比,不免有些相形見絀。

創記錄的記憶體銷售額
根據IC Insights的最新資料顯示,DRAM和NAND這兩種記憶體類型的銷售額在今年將創下歷史新高。
就DRAM而言,根據Trendforce公司旗下DRAMeXchange事業部公佈的最新統計資料,就在2017年前三個月中,記憶體元件的整體銷售額達到創紀錄的141億美元,較上年同期增長達13.4%。另外,與2016年第四季度進行比較,2017年第一季度的PC DRAM元件平均銷售價格增長了至少30%。

與此同時,伺服器與移動市場亦因此受到嚴重影響,其中移動DRAM產品的價格平均上漲近10%。
在這種情況影響之下,三星作為市場王者,營收達到63億美元,較上個季度增長6.8%且目前佔據整體市場份額的44.8%。

實際上,三星近幾年已經嘗到了來自晶片市場的甜頭,晶片產品成為和麵板一樣的利潤奶牛。摩根士丹利就表示,半導體部門營業利潤佔據三星電子第二季度總營業利潤的60%以上,該部門的營業利潤主要來自存儲晶片。而外界普遍預測,在半導體晶片業務的帶動下,三星電子第二季度利潤有望創歷史新高。

可以說,記憶體晶片銷售額暴漲,將使三星電子首度超越全球最大半導體製造商英特爾。

除了三星,美光也在DRAM價格上漲的影響下出現了營收的大幅度增長。資料顯示,記憶體晶片銷售額暴漲,將使三星電子首度超越全球最大半導體製造商英特爾。
 
另一方面,2017年第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響,即使第一季度為傳統NAND Flash淡季,管道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。

受到中國智慧手機以及SSD的需求動能帶動,加上整體NAND Flash庫存水位偏低,推升平均售價(ASP)季成長約15%,雖然SK海力士第一季度位元出貨量(bit shipment)較去年第四季下降3%,但所有產品線均維持穩定的獲利水位。

三星第一季SSD占整體產品組合比重已超過四成,且平均銷售價格隨著市場缺貨而上揚,因此,第一季營收雖然較去年第四季度衰退5.8%,但其NAND Flash的營業利益率卻較前一季提升。

天壤之別的出貨量
中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket於今年年初發佈了一份《2016年度快閃記憶體產業報告和2017年市場分析》,指出2016年整個快閃記憶體產業就被漲價、缺貨、3D NAND等籠罩,晶片價格上漲超過了80%。
今年5月1日,半導體權威研究機構IC Insights發佈的報告顯示,2017年Q1與2016年Q1相比,DRAM的平均價格同比上漲了45%,NAND快閃記憶體的價格也同比增長了40%。

IHS的統計報告也指出,DRAM和NAND在未來五年都會有3-6倍的需求增長。因此在這樣的供需矛盾影響下,存儲類元器件50%的漲幅實屬正常,並且未來還會繼續看漲。
 
但是銷售額的暴漲,根本原因卻不是出貨量的增加。
就DRAM而言,IC Insights預計2017年實際出貨量將會有所下降。此外,NAND出貨量與2016年相比,僅僅增長了2%。對於DRAM和NAND兩個記憶體市場而言,銷售強勁的年增長率幾乎完全是快速上升的平均銷售價格(ASP)驅動的。

平均銷售價格的增長從2016年開始就已經初現端倪。資料顯示,2016年4月DRAM ASP為2.41美元,然而2017年1月ASP已迅速揚升至3.60美元,漲幅達49%。IC Insights預估2017年DRAM與NAND Flash ASP將會分別大幅年增37%與22%。

天災人禍的記憶體市場
為什麼會出現這種記憶體價格的大幅度增長呢?具體來說,主要有以下幾點原因:
首先,記憶體良率問題。

三星在 2017 年 2 月中旬陸續召回部分序號的 18 納米制程的記憶體模組,並且再重新出貨給客戶之後,仍然發生有瑕疵的狀況。 而且,此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。

市場原本預計,在進入 2017 年第 2 季之後,因為有三星 18 納米的 PC DRAM 記憶體模組與美光 17 納米的 PC DRAM 記憶體模組相繼出貨,供貨吃緊的狀況應該可以得到緩解。 不料,三星繼上次召回有瑕疵的 18 納米制程的 PC DRAM 記憶體模組之後,近期再次出貨的情況仍舊沒有改善,還因而造成 PC大廠在 DPPM ( 每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。

而除了三星之外,美光的 17 納米制程 PC DRAM 記憶體模組也碰上相類似的情況。 甚至以目前出貨給客戶的樣本來看,良率還低於 50% 以下。在 17 納米制程的 PC DRAM 記憶體模組良率有問題的情況下,美光又無法再回頭提供 20 納米制程的產品給客戶,這也使得美光陷入兩難的狀態。

以上兩種情況,也為 2017 年 DRAM 市場的供貨狀況與價格變化再投下不確定因素。
其次,天災不斷。

在記憶體產能得不到擴大的情況下,本來情況就已經夠糟糕了,但是屋漏偏逢連夜雨,記憶體工廠又接連出事。

不久前的7月1日,臺灣美光晶圓科技發生氮氣外泄事故,導致廠內晶片和設備受到了污染,事故至少造成6萬片晶圓報廢。

此次受到影響的工廠為臺灣美光晶圓科技的Fab2,廠房為雙子星結構,場內可容納2座12寸晶圓廠,工廠產能達到月產12萬片以上。由於去年美光與華亞科正式合併,該廠最早開始轉入20nm制程,產品線也擴充至移動設備中的LPDDR4。

對於上述事件,TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,報廢的6萬片晶圓約占全球DRAM產能5.5%,鑒於目前DRAM市場供貨吃緊的狀況,加之停工引起的產能中斷,預計未來記憶體價格還將進一步上漲。

以上兩點可以是抬高DRAM的主要原因。

第三,各大記憶體廠商大部分支出主要都用於推動技術進步,而不是用於增加產能。

具體來說,三星、SK海力士和美光在2017年上半年DRAM方面無新增產能,疊加下游記憶體需求不斷增長,DRAM合約價在淡季也明顯上漲。在NAND方面,三星、SK海力士和美光在2017年基本上所有的快閃記憶體支出都用在了3D NAND快閃記憶體上面,而不是用於擴大產能,即便是在今年投入的產能也不可能在短期內減小,但是要知道快閃記憶體缺貨情況並不是一兩日的光景了。

記憶體廠商在研發新技術的時候忽視了市場對於產品的需求,不可以不說是人禍。

最後,爆發的市場需求。
造成 NAND Flash 大缺貨的原因,主要因為各種電子用品的滲透率提高,加上新興市場使用者從功能性手機轉進智慧手機,帶動相關儲存需求急速攀升。

各家NAND Flash廠為競逐儲存容量更高的3D NAND,去年開始都調撥產能投入3D NAND Flash生產,結果因良率未達預期,造成全球NANDFlash大缺貨,今年首季更寫下歷年來淡季最大漲幅。

那麼如何解決這一問題呢?擴大產能可以說是勢在必行的一步。

近日,有消息顯示,三星計畫投資近3萬億韓元(約合人民幣183億元),擴充位於京畿道華城工廠17線DRAM產能。若投資完成,華城工廠將再沒有多餘空間,三星計畫在17線生產增產DRAM、3D NAND快閃記憶體以及系統半導體。

總結
從記憶體銷售創紀錄和出貨量增長不大,我們應該注意到,市場對於DRAM和NAND的需求依舊非常緊迫。儘管2017年DRAM的平均銷售價格會在今年下半年放緩,但是全年的平均銷售價格增長率依舊達到了63%。

對於NAND的平均銷售價格來說,2017年也將創下新高,預計會達到33%。

在市場需求與產能的雙重壓迫下,才造成了如今記憶體市場產品價格居高不下的局面。

雖然對於全球半導體產值來說,記憶體價格的上漲是一個好消息,據Gartner最新發佈的統計顯示,全球半導體產值受到記憶體價格上漲,今年將首破突破4,000億美元,達到4,014億美元,年增16.8%。

但是我們應當深刻的注意到這種情況出現的深層次原因。在這一輪市場增長中,技術已經不再是推動市場的主要動力,這與市場在技術的推動下的實現良性增長完全是背道而馳。

我們總是樂觀的估計市場的需求和自身能力,而忽視了客觀因素和意外事件的影響。在這一輪漲價潮中,良率和天災就是廠商所忽視的客觀原因。

對於一個良性發展的市場而言,技術才是主要的驅動力,對於惡性發展的市場而言,價格是廠商競爭的根本。今年的記憶體市場,我們不應當只看到了銷售額的增長,而陷入價格的惡性循環之中,畢竟技術才是根本!
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