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2017年下半年DRAM、NAND ASP增速放緩,年度增長創新高
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IC Insights發佈最新McClean報告中指出,2017年DRAM和NAND的平均售價(ASP)的增長速度將於第三季度逐漸放緩,但以全年來看,DRAM ASP 的年增長率達63%,NAND ASP 增長33%,均創下了歷史新高。
 
經IC insights預測,DRAM和NAND記憶體的銷量預計今年將創歷史新高,究其原因是因為產品平均售價(ASP)的快速增長。 具體來看,2017年DRAM的實際出貨量預計會有所下滑,而NAND出貨量僅增長2%,但足夠推動快閃記憶體市場的增長勢頭。圖中顯示了DRAM、NAND的季度ASP增長率:從2016年第三季度開始到2017年第二季度,DRAM的平均售價(ASP)上漲了16.8%,NAND上漲了11.6%,保持了持續增長態勢。

隨著DRAM 平均售價的快速增長,DRAM 廠商將再次加大對這一領域的支出。然而,技術研發的投入占比遠遠大於量產的投入。IC Insights 預測2017年 所有快閃記憶體的支出將用於3D NAND技術而非2D快閃記憶體。因此今年在NAND快閃記憶體的最大投入來自三星,7月4日,三星電子平澤工廠全球最大規模半導體生產線正式投產,將生產第四代64位V-NAND,月產能可達20萬片,並計畫持續擴充生產設備。

縱觀歷史態勢,大量資金投入通常會導致產能過剩和定價疲軟的情況出現。因此,三星、SK Hynix、Micron、英特爾、東芝/閃迪 和長江存儲,都計畫在未來幾年內大幅度提升3D NAND快閃記憶體容量,這一輪將有中國的廠家加入進來。那麼在未來幾年內,產能過剩的現象極有可能再發生。

IC Insights資料顯示,DRAM季度平均售價在2016年第四季度上升到22.8%(最高),一直到2017年第二季度仍呈現強勁上漲趨勢。據IC Insights預測,DRAM ASP預計在2017年第三季度達到最高,在2017年第三季度開始小幅度下滑,標誌著一個良性週期就此告一段落。

經預測,儘管今年下半年DRAM ASP的增長速度將會放緩,但DRAM ASP的年增長率仍將有63%,這比1997年的歷史最高年增長率仍高出6個百分點,創下又一個歷史新高。而2017年,NAND的年度ASP預計將增長33%,創歷史新高。 (2000年,以 NOR Flash的 ASP上漲了52%。)
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