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傳聯發科將採用FD-SOI工藝生產手機晶片
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近期聯發科傳出在上攻10納米FinFET制程技術失利之後,內部開始評估採用在大陸市場極為火熱的FD-SOI制程,聯發科為甩開在中、低階手機晶片市場與展訊激烈纏鬥,考慮投單GlobalFoundries最新一代22納米FD-SOI制程,該計畫將待6月新上任的共同執行長蔡力行拍板定案。
聯發科在中、高階市場被高通(Qualcomm)堵住,在中、低階市場又遇到緊迫盯人的展訊,面臨前後遭夾擊的命運,雖然聯發科與台積電合作10納米制程,欲突圍高階市場,但因設計規格追不上高通,且量產時程一再推遲,使得聯發科搶攻高階10納米之役不算成功。
反觀展訊與英特爾(Intel)合作越來越緊密,在連開兩顆14納米高階晶片之後,可能往中、低階市場擴大合作。近期聯發科傳出考慮換戰線,藉以甩開與展訊的纏鬥,聯發科看好在大陸極為火紅的FD-SOI制程,成為主流FinFET技術外的另一股崛起勢力。
目前FD-SOI制程的擁護者包括GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics),以及大陸晶圓代工廠華力微等,都有評估投入的跡象,其中,GlobalFoundries宣傳最賣力,連續擘劃22納米和12納米兩世代的FD-SOI技術。
供應鏈業者指出,聯發科內部評估在GlobalFoundries開一顆22納米FD-SOI制程晶片,主打中、低階手機晶片市場,這將是28納米平面式電晶體(Planar CMOS)和16/14納米FinFET兩大技術以外的另一個新戰場,並避開Planar CMOS功耗高、FinFET成本高的缺點,利用FD-SOI制程的低功耗、低漏電、低成本優勢,開創中、低階手機晶片領域新局。
聯發科該計畫就等蔡力行拍板定案,蔡力行將提前在7月上任聯發科共同執行長,由於聯發科和台積電近期因為採用10納米制程的X30晶片出貨延遲,讓聯發科公開抱怨10納米良率太低,蔡力行上任之後,聯發科的晶圓代工策略是市場關注焦點之一。
在中、高階手機晶片,聯發科也考慮到台積電新推出的12納米投單,未來在技術劃分上,12/14/16納米FinFET主打中、高階晶片,22/28納米主打中、低階晶片,其中22納米將是FinFET、Planar和FD-SOI三大技術分水嶺,英特爾22納米是FinFET制程,台積電22納米是28納米Planar微縮,而GlobalFoundries的22納米是FD-SOI制程。
事實上,FD-SOI制程曾被台積電、英特爾等大廠內部評估過,最後還是選主流的FinFET技術,依循摩爾定律微縮下去,但FD-SOI勢力這兩年在大陸捲土重來,主要是具備低功耗優勢,在物聯網(IoT)、車用電子上極為適合,GlobalFoundries更宣佈在成都興建新的FD-SOI專屬12吋晶圓廠。
三星也推出28納米FD-SOI制程,拿下恩智浦SoC晶片代工訂單,預計2019年推出下一代18納米FD-SOI技術,與GlobalFoundries一同炒熱大陸FD-SOI市場,未來若聯發科正式採用,將使得FD-SOI技術不僅用在物聯網、車聯網等領域,在手機晶片領域亦將另闢蹊徑。
假設聯發科真這樣幹,辜勿論採用FD-SOI工藝的新晶片性能,FD-SOI矽片帶來的成本壓力,也夠他喝一壺。早前編者曾經看過報導,一個傳統的矽片售價80美金,而一個FD-SOI矽片要賣到500美金(如果說錯了,請糾正)。這麼巨大的成本變化,對於價格極其敏感的中低端處理器來說,是不能接受的。所以這個招數會不會是聯發科病急亂投醫了?
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