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導入3D NAND/PCIe介面 工控儲存規格大翻新
新電子盧佳柔
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隨著3D NAND快閃(Flash)記憶體技術日益成熟,以及相關供應商大力推廣下,工業用儲存所採用的記憶體規格今年將大舉轉向3D NAND方案,同時也將導入傳輸效能更好的PCIe介面,以進一步提高儲存容量密度與產品性價比。

宇瞻科技(Apacer)垂直市場應用產品處處長林志亮表示,2D微縮製程已進入瓶頸,使得記憶體製造商擴大採用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態硬碟開發商大舉採納,用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。

林志亮認為,在工業記憶體製造規格上,2017年最大改變除了將2D NAND汰換成3D NAND之外,過去在工業應用領域中,較少有AES資料加密功能的產品,預計導入AES資料加密功能的記憶體也將會是2017年一大重點,尤其是軍工產品。

不僅如此,PCIe介面規格導入工控儲存產品也將是2017年的亮點之一。現階段PCIe介面主要的應用市場在雲端伺服器領域,因為該領域對於大容量與寬頻的需求殷切;不過,後續針對同樣要求高效能的軍工、電競市場,都是下一步將導入的重點領域。

整體而言,林志亮推測,2018年開始,將有一半以上的工業電腦(IPC)廠商開始陸續採用3D NAND,預估2017下半年會陸續做驗證動作。

林志亮分析,近兩年記憶體產業與過去幾年大相逕庭。一般而言,記憶體市場會隨著季節性的變化,營收有高低起伏的變動,少有記憶體產業會連續成長超過六季,這歸因於兩項重大刺激因素所導致。首先,在於2D NAND快閃記憶體轉向3D NAND技術輪替,使得記憶體產能供不應求;再者,各種終端裝置對整體記憶體需求量的成長,尤其是汽車產業。

林志亮談到,過去記憶體產業主要需求來自於手機廠商,但近年智慧汽車市場的起飛,對於各式各樣感測器、相機與記憶體的需求急速攀升,助長記憶體產能擴增。此外,大量使用動態隨機存取記憶體(DRAM)與NAND Flash的PC、Ultramobile、伺服器與固態硬碟等電子設備,也將帶動半導體營收的增加。

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