宇部興產與日本ZEON分別與東北大學合作研發半導體相關的精密技術。宇部興產在半導體形成積體電路的過程中，以二氧化矽來阻隔素子以達絕緣效果。首先將形成半導體積體電路的晶圓上塗以二氧化矽，減壓加熱乾燥後製成薄膜，經過藥劑處理後，便可留下素子之間的絕緣體。不再需要以往易使表面受損的研磨手續，估計1～2年後實際運用至半導體製程。而日本ZEON則開發了幾乎只由碳分子和氫分子所組成的塑膠半導體基板，易加工並耐熱。在以10cm配線的新素材實驗中，11GHz的信號傳輸僅出現2.5GHz的失誤。可望於2011年3月前完成此基礎技術。